参数资料
型号: FQU11P06TU
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
产品目录绘图: I-PAK, I2PAK Pkg
标准包装: 70
系列: QFET™
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 185 毫欧 @ 4.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
产品目录页面: 1608 (CN2011-ZH PDF)
Typical Characteristics
Top :
V GS
- 15.0 V
- 10.0 V
10
10
1
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom : - 4.5 V
1
150 ℃
10
10
0
※ Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = -30V
2. 250μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-1
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
0.8
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
0.6
0.4
0.2
V GS = - 10V
V GS = - 20V
1
0
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250μ s Pulse Test
10
0.0
0
1 0
20
3 0
4 0
50
-1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
1200
1000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = -30V
800
C oss
8
V DS = -48V
600
400
C iss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
C rss
200
2
※ Note : I D = -11.4 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD11P06 / FQU11P06 Rev. C 2
3
www.fairchildsemi.com
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