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参数资料
| 型号： | FOD3180S |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER MOSF GATE DVR 8-SMD |
| 产品目录绘图： | Opto 8-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 2A |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 105ns @ 10mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 10mA ~ 16mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 推挽式/图腾柱 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD |
| 供应商设备封装： | 8-SMD |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2761 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Curves (Continued)
200
Fig. 7 Propagation Delay vs. Load Capacitance
V CC = 20V, V EE = 0
200
Fig. 8 Propagation Delay vs. Forward LED Current
V CC = 20V, V EE = 0
180
160
140
I F = 10mA, T A = 25 o C
R G = 10? , C G = 10nF
f = 250 kHz, D. Cycle = 50%
t PHL
180
160
140
R G = 10?, C G = 10nF
f = 250 kHz, D. Cycle = 50%
T A = 25 o C
t PHL
120
100
80
60
t PLH
120
100
80
60
t PLH
5
10
15
20
25
6
8
10
12
14
16
C G – LOAD CAPACITANCE (nF)
Fig. 9 Propagation Delay vs. Series Load Resistance
200
I F – FORWARD LED CURRENT (mA)
Fig. 10 Propagation Delay vs. Ambient Temperature
200
180
V CC = 20V, V EE = 0
I F = 10mA, T A = 25 o C
C G = 10nF
180
V CC = 20V, V EE = 0
I F = 10mA
R G = 10?, C G = 10nF
160
f = 250 kHz, D. Cycle = 50%
160
f = 250kHz, D. Cycle = 50%
140
120
100
80
60
t PLH
t PHL
140
120
100
80
60
t PHL
t PLH
10
20
30
40
50
-40
-20
0
20
40
60
80
100
R G – SERIES LOAD RESISTANCE (?)
T A – AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 11 Propagation Delay vs. Supply Voltage
180
I F = 10mA, T A = 25 o C
160
140
R G = 10?, C G = 10nF
f = 250 kHz, D. Cycle = 50%
t PHL
120
t PLH
100
80
60
10
15
20
25
V CC – SUPPLY VOLTAGE (V)
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD3180 Rev. 1.0.6
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FOD3180SD | 功能描述:高速光耦合器 2A IGBT/FET GTE DRV OPTOCOUPLER RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3180SDV | 功能描述:高速光耦合器 2A Out Cur Hi Spd IGBT MOSFET OPTO RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3180SV | 功能描述:高速光耦合器 2A Out Curr High Spd IGBT Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3180T | 功能描述:高速光耦合器 2A Out Curr High Spd IGBT Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3180TSV | 功能描述:高速光耦合器 2A OUTPUT CURRENT IGBT/MOSFET RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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