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参数资料
| 型号： | FOD3180S |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER MOSF GATE DVR 8-SMD |
| 产品目录绘图： | Opto 8-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 2A |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 105ns @ 10mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 10mA ~ 16mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 推挽式/图腾柱 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD |
| 供应商设备封装： | 8-SMD |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2761 (CN2011-ZH PDF) |
Switching Characteristics
Over recommended operating conditions unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Test Conditions Min.
Typ.* Max.
Unit
t PLH
t PHL
P WD
Propagation Delay Time to High Output Level (8)
Propagation Delay Time to Low Output Level (8)
Pulse Width Distortion (9)
I F = 10mA,
R g = 10 ? ,
f = 250kHz,
Duty Cycle = 50%,
50
50
135
105
200
200
65
ns
ns
ns
P DD Propagation Delay Difference Between Any
(t PHL – t PLH ) Two Parts (10)
C g = 10nF
-90
90
ns
t r
t f
t UVLO ON
t UVLO OFF
| CM H |
Rise Time
Fall Time
UVLO Turn On Delay
UVLO Turn Off Delay
Output High Level Common Mode Transient
Immunity (11) (12)
C L = 10nF,
R g = 10 ?
T A = +25°C,
I f = 10 to 16mA,
15
75
55
2.0
0.3
ns
ns
μs
μs
kV/μs
V CM = 1.5kV,
V CC = 20V
| CM L |
Output Low Level Common Mode Transient
Immunity (11) (13)
T A = +25°C,
V f = 0V,
15
kV/μs
V CM = 1.5kV,
V CC = 20V
*Typical values at T A = 25°C
Isolation Characteristics
Symbol Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Unit
V ISO
Withstand Isolation Voltage (14) (15) T A = 25°C,
5000
V rms
R.H. < 50%, t = 1min.,
I I-O ≤ 20μA
R I-O
C I-O
Resistance (input to output) (15)
Capacitance (input to output)
V I-O = 500V
Freq. = 1MHz
10 11
1
?
pF
*Typical values at T A = 25°C
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD3180 Rev. 1.0.6
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FOD3180SDV | 功能描述:高速光耦合器 2A Out Cur Hi Spd IGBT MOSFET OPTO RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3180SV | 功能描述:高速光耦合器 2A Out Curr High Spd IGBT Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3180T | 功能描述:高速光耦合器 2A Out Curr High Spd IGBT Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3180TSV | 功能描述:高速光耦合器 2A OUTPUT CURRENT IGBT/MOSFET RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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