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参数资料
| 型号： | FDB33N25TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 94 毫欧 @ 16.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2135pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 235W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB33N25TMDKR |
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
GS GS
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB33N25 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 78J03ST | SWITCH DIP RAISED SLIDE 3POS TH |
| NDF04N60ZG | MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP |
| 592-3031-313F | LED CBI PRISM BLVL RG/YG SIL |
| 551-3508F | LED FLAT 3MM RED/GRN BICLR 3LEAD |
| WCSFH2 | TOOL HAND CRIMP SFH 26-30AWG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB3500 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB3500P | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB3501 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB3501P | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB3502 | 功能描述:MOSFET 75V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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