参数资料
型号: EL5132IS
厂商: Intersil
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文件大小: 0K
描述: IC OP AMP HS LN 670MHZ 8-SOIC
标准包装: 97
放大器类型: 电压反馈
电路数: 1
转换速率: 1000 V/µs
增益带宽积: 3GHz
-3db带宽: 670MHz
电流 - 输入偏压: 12µA
电压 - 输入偏移: 500µV
电流 - 电源: 11mA
电流 - 输出 / 通道: 140mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 5 V ~ 12 V,±2.5 V ~ 6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
9
FN7382.8
May 4, 2007
FIGURE 31. SUPPLY CURRENT vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 32. SLEW RATE vs SUPPLY VOLTAGES
FIGURE 33. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 34. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
10.2
10.4
10.6
10.8
11.0
11.2
11.4
11.6
11.8
12.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
SUPPLY VOLTAGE (V)
SUP
P
L
Y
CURRENT
(m
A)
RG = 25Ω
RL = 500Ω
CL = +1pF
10.0
Please note that the curve showed
positive current. The negative
current was almost the same.
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
SUPPLY VOLTAGES (±V)
SLE
W
R
A
TE
(
V
/s
)
NEGATIVE SLEW RATE
AV = +10
RG = 25Ω
RL = 500Ω
CL = +1pF
VOUT = 4VP-P
POSITIVE SLEW RATE
909mW
θ
JA = +110°C/W
SO8
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POW
E
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
435mW
θJA = +230°C/W
SOT23-5
625mW
SO8
1
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IPATION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
391mW
θJA = +160°C/W
θJA = +256°C/W
SOT23-5
EL5132, EL5133
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PDF描述
MMB25-0441J1 CONN RACK/PANEL 44POS 5A
RT0402DRE0720RL RES 20 OHM 1/16W .5% 0402 SMD
RGH2012-2E-P-122-B RES 1.2K OHM .1% 1/4W 0805 SMD
EL5130IS IC OP AMP LN 500MHZ 8-SOIC
RT0402DRE0715RL RES 15 OHM 1/16W .5% 0402 SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
EL5132IS-T13 功能描述:IC AMP VFA 670MHZ LO NOISE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:满摆幅 转换速率:1.8 V/µs 增益带宽积:6.5MHz -3db带宽:4.5MHz 电流 - 输入偏压:5nA 电压 - 输入偏移:100µV 电流 - 电源:65µA 电流 - 输出 / 通道:35mA 电压 - 电源,单路/双路(±):1.8 V ~ 5.25 V,±0.9 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:10-MSOP 包装:管件
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EL5132ISZ 功能描述:IC AMP VFA 670MHZ LO NOISE 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:满摆幅 转换速率:1.8 V/µs 增益带宽积:6.5MHz -3db带宽:4.5MHz 电流 - 输入偏压:5nA 电压 - 输入偏移:100µV 电流 - 电源:65µA 电流 - 输出 / 通道:35mA 电压 - 电源,单路/双路(±):1.8 V ~ 5.25 V,±0.9 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:10-MSOP 包装:管件
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