参数资料
型号: EL5132IS
厂商: Intersil
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文件大小: 0K
描述: IC OP AMP HS LN 670MHZ 8-SOIC
标准包装: 97
放大器类型: 电压反馈
电路数: 1
转换速率: 1000 V/µs
增益带宽积: 3GHz
-3db带宽: 670MHz
电流 - 输入偏压: 12µA
电压 - 输入偏移: 500µV
电流 - 电源: 11mA
电流 - 输出 / 通道: 140mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 5 V ~ 12 V,±2.5 V ~ 6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
7
FN7382.8
May 4, 2007
FIGURE 19. PSRR vs FREQUENCY
FIGURE 20. OUTPUT SWING vs FREQUENCY
FIGURE 21. GROUP DELAY vs FREQUENCY
FIGURE 22. INPUT AND OUTPUT ISOLATION
FIGURE 23. HARMONIC DISTORTION vs FREQUENCY
FIGURE 24. TOTAL HARMONIC DISTORTION vs OUTPUT
VOLTAGE
Typical Performance Curves (Continued)
PS
RR
(dB)
0
-20
-40
-60
-80
10
-10
-30
-50
-70
1k
10k
1M
500M
FREQUENCY (Hz)
100k
100M
10M
-90
AV = +10
VS = ±5V
VS+
VS-
-5
-4
-3
-1
0
1
2
3
4
5
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
OUT
P
UT
S
W
ING
G
A
IN
(d
B)
VOUT = 670mVP-P
VOUT = 240mVP-P
-2
VS = ±5V
AV = +10
RG = 25Ω
RL = 500Ω
CL = +1pF
VOUT = 6.6VP-P
VOUT = 3.8VP-P
VOUT = 2.1VP-P
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
0
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
GRO
U
P
DE
L
A
Y
(n
s)
VS = ±5V
AV = +10
RG = 25Ω
RL = 500Ω
-140
-130
-120
-110
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
100k
1M
10M
100M
FREQUENCY (Hz)
IS
OL
A
T
IO
N
(d
B)
INPUT TO OUTPUT
OUTPUT TO INPUT
VS = ±5V
AV = +20
RG = 25
CHIP DISABLED
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
0M
5M
10M 15M 20M 25M 30M 35M 40M
FUNDAMENTAL FREQUENCY (Hz)
HA
RM
ONI
C
DI
ST
ORTI
ON
(
d
Bc
)
3rd HD
THD
VS = ±5V
AV = +10
RG = 25Ω
RL = 500Ω
VOUT = 2VP-P
2nd HD
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
012
3
4
5678
OUTPUT LEVEL (VP-P)
HARMONIC
DIST
ORTION
(d
Bc
)
FIN = 10MHz
FIN = 1MHz
VS = ±5V
AV = +10
RG = 25Ω
RL = 500Ω
EL5132, EL5133
相关PDF资料
PDF描述
MMB25-0441J1 CONN RACK/PANEL 44POS 5A
RT0402DRE0720RL RES 20 OHM 1/16W .5% 0402 SMD
RGH2012-2E-P-122-B RES 1.2K OHM .1% 1/4W 0805 SMD
EL5130IS IC OP AMP LN 500MHZ 8-SOIC
RT0402DRE0715RL RES 15 OHM 1/16W .5% 0402 SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
EL5132IS-T13 功能描述:IC AMP VFA 670MHZ LO NOISE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:满摆幅 转换速率:1.8 V/µs 增益带宽积:6.5MHz -3db带宽:4.5MHz 电流 - 输入偏压:5nA 电压 - 输入偏移:100µV 电流 - 电源:65µA 电流 - 输出 / 通道:35mA 电压 - 电源,单路/双路(±):1.8 V ~ 5.25 V,±0.9 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:10-MSOP 包装:管件
EL5132IS-T7 功能描述:IC OP AMP HS LN 670MHZ 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 放大器类型:电压反馈 电路数:4 输出类型:满摆幅 转换速率:33 V/µs 增益带宽积:20MHz -3db带宽:30MHz 电流 - 输入偏压:2nA 电压 - 输入偏移:3000µV 电流 - 电源:2.5mA 电流 - 输出 / 通道:30mA 电压 - 电源,单路/双路(±):4.5 V ~ 16.5 V,±2.25 V ~ 8.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:14-SOIC 包装:带卷 (TR)
EL5132ISZ 功能描述:IC AMP VFA 670MHZ LO NOISE 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:满摆幅 转换速率:1.8 V/µs 增益带宽积:6.5MHz -3db带宽:4.5MHz 电流 - 输入偏压:5nA 电压 - 输入偏移:100µV 电流 - 电源:65µA 电流 - 输出 / 通道:35mA 电压 - 电源,单路/双路(±):1.8 V ~ 5.25 V,±0.9 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:10-MSOP 包装:管件
EL5132ISZ-T13 功能描述:IC AMP VFA 670MHZ LO NOISE 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:满摆幅 转换速率:1.8 V/µs 增益带宽积:6.5MHz -3db带宽:4.5MHz 电流 - 输入偏压:5nA 电压 - 输入偏移:100µV 电流 - 电源:65µA 电流 - 输出 / 通道:35mA 电压 - 电源,单路/双路(±):1.8 V ~ 5.25 V,±0.9 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:10-MSOP 包装:管件
EL5132ISZ-T7 功能描述:IC VFA 670MHZ ULT LO VOLT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:满摆幅 转换速率:1.8 V/µs 增益带宽积:6.5MHz -3db带宽:4.5MHz 电流 - 输入偏压:5nA 电压 - 输入偏移:100µV 电流 - 电源:65µA 电流 - 输出 / 通道:35mA 电压 - 电源,单路/双路(±):1.8 V ~ 5.25 V,±0.9 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:10-MSOP 包装:管件