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参数资料
| 型号： | DSEP2X101-04A |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE FRED 400V 100A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.54V @ 100A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
DSEP2x101-04A
300
250
2400
2000
T VJ = 100°C
V R = 200 V
50
40
T VJ = 100°C
V R = 200 V
I F = 200 A
I F
200
150
T VJ = 150°C
T VJ = 100°C
T VJ = 25°C
Q r
1600
1200
I F = 200 A
I F = 100 A
I F = 50 A
I RM 30
I F = 100 A
I F = 50 A
[A]
100
[nC]
800
[A] 20
50
0
400
0
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
1 0 0
1 0 0 0
0
200
400
600
800
1000
V F [V]
Fig. 1 Forward current I F vs. V F
-di F /dt [A/μs]
Fig. 2 Reverse recovery charge
Q r versus -di F /dt
-di F /dt [A/μs]
Fig. 3 Peak reverse current
I RM versus -di F /dt
2.0
160
140
T VJ = 100°C
V R = 200 V
60
50
T VJ = 100°C
I F = 100 A
1.50
1.25
1.5
K f 1.0
t rr 120
I F = 200 A
I F = 100 A
I F = 50 A
V FR
40
30
1.00
t rr
0.75
[μs]
[ns] 100
[V]
0.5
I RM
20
0.50
0.0
Q r
80
60
10
0
V FR
t fr 0.25
0.00
0
40
80
120
160
0
200
400
600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
1
Z thJC
0.1
[K/W]
T VJ [°C]
Fig. 4 Dynamic parameters
Q r , I RM versus T VJ
-di F /dt [A/μs]
Fig. 5 Recovery time
t rr versus -di F /dt
-di F /dt [A/μs]
Fig. 6 Peak forward voltage
V FR and tfr versus di F /dt
Constants for Z thJC calculation:
0.01
0.001
0.0001
DSEP 2x101-04A
i R thi (K/W)
1 0.212
2 0.248
3 0.063
4 0.077
t i (s)
0.0055
0.0092
0.0007
0.0391
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t [s]
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
? 2011 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20110531a
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PDF描述 |
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参数描述 |
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