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参数资料
| 型号： | DSEP2X25-12C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE FRED 1200V 25A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerDynFRED™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 4.71V @ 25A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 250µA @ 1200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 25A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 反向恢复时间(trr)： | 15ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
DSEP2x25-12C
HiPerDynFRED
High Performance Dynamic Fast Recovery Diode
Extreme Low Loss and Soft Recovery
V RRM = 1200 V
I FAV = 2x 25 A
t rr = 15 ns
Parallel legs with series connected dice
Part number
DSEP2x25-12C
Backside: isolated
Features / Advantages:
● Planar passivated chips
● Very low leakage current
● Very short recovery time
● Improved thermal behaviour
● Very low Irm-values
● Very soft recovery behaviour
● Soft reverse recovery for low EMI/RFI
● Low Irm reduces:
Applications:
● Antiparallel diode for high frequency
switching devices
● Antisaturation diode
● Snubber diode
● Free wheeling diode
● Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
● Uninterruptible power supplies (UPS)
Package:
● Housing: SOT-227B (minibloc)
● r Industry standard outline
● r Cu base plate internal DCB isolated
● r Isolation Voltage 3000 V
● r Epoxy meets UL 94V-0
● r RoHS compliant
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating switch
Ratings
Symbol
V RRM
I R
Definition
max. repetitive reverse voltage
reverse current
Conditions
V R = 1200 V
T VJ = 25 °C
T VJ = 25 °C
min.
typ.
max.
1200
250
Unit
V
μA
V R = 1200 V
T VJ = 150 °C
2
mA
V F
forward voltage
I F =
25 A
T VJ = 25 °C
4.71
V
I F =
50 A
5.92
V
I F =
I F =
25 A
50 A
T VJ = 150 °C
2.95
4.01
V
V
I FAV
average forward current
rectangular
d = 0.5
T C = 90°C
25
A
V F0
r F
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
T VJ = 150°C
1.95
40
V
m ?
R thJC
thermal resistance junction to case
0.60
K/W
T VJ
P tot
virtual junction temperature
total power dissipation
T C = 25 °C
-40
150
210
°C
W
I FSM
I RM
t rr
max. forward surge current
max. reverse recovery current
reverse recovery time
t = 10 ms (50 Hz), sine
I F =
30 A; V R = 600 V
-di F /dt = 600 A/μs
T VJ = 45°C
T VJ = 25 °C
T VJ = 100°C
T VJ = 25 °C
5.5
12.5
15
250
A
A
A
ns
T VJ = 100°C
70
ns
C J
junction capacitance
V R = 400 V; f = 1 MHz
T VJ = 25 °C
18
pF
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
? 2011 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20110531b
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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