- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录615 > CM100DY-34A (Powerex Inc)IGBT MOD DUAL 1700V 100A A SER Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | CM100DY-34A |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 1700V 100A A SER |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1700V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 100A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 24.7nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com
CM100DY-34A
Dual IGBTMOD? A-Series Module
100 Amperes/1700 Volts
Thermal and Mechanical Characteristics, Tj = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)Q
Per IGBT*
4
—
—
0.13
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
Contact Thermal Resistance
External Gate Resistance
Rth(j-c)D
Rth(c-f)
RG
Per FWDi* 4
Thermal Grease Applied *4,*5
—
—
4.8
—
—
—
0.21
—
48
°C/W
°C/W
Ω
*4 Case temperature (TC), and heatsink temperature (Tf) measured point is just under the chips.
*5 Typical value is measured by using thermally conductive grease of λ = 0.9 [W/(m ? K)].
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
200
160
V GE =
20V
13
15
12
T j = 25 o C
5
4
V GE = 15V
T j = 25°C
T j = 125°C
200
160
V CE = 10V
T j = 25°C
T j = 125°C
120
80
11
3
2
120
80
10
40
8
9
1
40
0
0
2
4
6
8
10
0
0
50
100
150
200
0
0
4
8
12
16
20
CAPACITANCE VS. VCE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
(TYPICAL)
10
T j = 25°C
10 3
10 2
V GE = 0V
8
6
I C = 200A
I C = 100A
10 1
C ies
4
2
I C = 40A
10 2
T j = 25°C
T j = 125°C
10 0
C oes
C res
0
0
4
8
12
16
20
10 1
0
1
2
3
4
10 -1
10 -1
10 0
10 1
10 2
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
01/10 Rev. 1
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM100E3U-12H | IGBT MOD CHOP 600V 100A U SER |
| CM100E3U-24H | IGBT MOD CHOP 1200V 100A U SER |
| CM100MX-12A | CIB MOD 600V 100A NX SER |
| CM100RL-12NF | IGBT MOD 7PAC 600V 100A NF SER |
| CM100RL-24NF | IGBT MOD 7PAC 1200V 100A NF SER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CM100-E0000B | 功能描述:以太网模块 Cobox Mini Device Server 10/100 2-TTL RoHS:否 制造商:Lantronix 产品:Device Servers 数据速率:300 bps to 921.6 kbps, 10 Mbps, 100 Mbps 接口类型:Ethernet, Serial 工作电源电压:5 V to 15 V 工作电源电流:133 mA to 400 mA 最大工作温度:+ 70 C |
| CM100E3U-12H | 功能描述:IGBT MOD CHOP 600V 100A U SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM100E3U-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM100E3U24H | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) |
| CM100E3U-24H | 功能描述:IGBT MOD CHOP 1200V 100A U SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。