参数资料
| 型号： | ATTINY2313A-SUR |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 86/172页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU AVR 2KB FLASH 20MHZ 20SOIC |
| 产品培训模块： | tinyAVR Introduction |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | AVR® ATtiny |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | I²C，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 18 |
| 程序存储器容量： | 2KB（1K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 128 x 8 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | ATTINY2313A-SUR-ND |
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8246B–AVR–09/11
ATtiny2313A/4313
5.3.3
Erase
In order to prevent unintentional EEPROM writes, a specific procedure must be followed to
erase memory locations. To erase an EEPROM memory location follow the procedure below:
Poll the EEPROM Program Enable bit (EEPE) in EEPROM Control Register (EECR) to make
sure no other EEPROM operations are in process. If set, wait to clear.
Set mode of programming to erase by writing EEPROM Programming Mode bits (EEPM0
and EEPM1) in EEPROM Control Register (EECR).
Write target address to EEPROM Address Registers (EEARH/EEARL).
Enable erase by setting EEPROM Master Program Enable (EEMPE) in EEPROM Control
Register (EECR). Within four clock cycles, start the erase operation by setting the EEPROM
Program Enable bit (EEPE) in the EEPROM Control Register (EECR). During the erase
operation, the CPU is halted for two clock cycles before executing the next instruction.
The EEPE bit remains set until the erase operation has completed. While the device is busy pro-
gramming, it is not possible to perform any other EEPROM operations.
5.3.4
Write
In order to prevent unintentional EEPROM writes, a specific procedure must be followed to write
to memory locations.
Before writing data to EEPROM the target location must be erased. This can be done either in
the same operation or as part of a split operation. Writing to an unerased EEPROM location will
result in corrupted data.
To write an EEPROM memory location follow the procedure below:
Poll the EEPROM Program Enable bit (EEPE) in EEPROM Control Register (EECR) to make
sure no other EEPROM operations are in process. If set, wait to clear.
Set mode of programming by writing EEPROM Programming Mode bits (EEPM0 and
EEPM1) in EEPROM Control Register (EECR). Alternatively, data can be written in one
operation or the write procedure can be split up in erase, only, and write, only.
Write target address to EEPROM Address Registers (EEARH/EEARL).
Write target data to EEPROM Data Register (EEDR).
Enable write by setting EEPROM Master Program Enable (EEMPE) in EEPROM Control
Register (EECR). Within four clock cycles, start the write operation by setting the EEPROM
Program Enable bit (EEPE) in the EEPROM Control Register (EECR). During the write
operation, the CPU is halted for two clock cycles before executing the next instruction.
The EEPE bit remains set until the write operation has completed. While the device is busy with
programming, it is not possible to do any other EEPROM operations.
5.3.5
Preventing EEPROM Corruption
During periods of low V
CC, the EEPROM data can be corrupted because the supply voltage is
too low for the CPU and the EEPROM to operate properly. These issues are the same as for
board level systems using EEPROM, and the same design solutions should be applied.
At low supply voltages data in EEPROM can be corrupted in two ways:
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATTINY24A-MFR | MCU AVR 2KB FLASH 20MHZ 20QFN |
| PCA9575PW2,118 | IC I2C/SMBUS 16BIT GPIO 28TSSOP |
| ATTINY44A-SSUR | MCU AVR 4KB FLASH 20MHZ 14SOIC |
| PCA8575D,112 | IC I/O EXPANDER I2C 16B 24SOIC |
| PCA9535CPW,118 | IC I/O EXPANDER I2C 16B 24TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATTINY2313V | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:8-bit Microcontroller with 2K Bytes In-System Programmable Flash |
| ATTINY2313V_06 | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:8-bit Microcontroller with 2K Bytes In-System Programmable Flash |
| ATtiny2313V-10MI | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 2K FLSH 128B EE 128B SRAM 1 UART RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATtiny2313V-10MU | 功能描述:8位微控制器 -MCU 2kB Flash 0.128kB EEPROM 18 I/O Pins RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATTINY2313V-10MUR | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 2KFL 128B EE1.8V 128B 1UART 20P-10MHz RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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