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参数资料
| 型号： | 5LP01M-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 70MA MCP |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 欧姆 @ 40mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7.4pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | 3-MCP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
5LP01M
3
2
IS -- VSD
VGS=0V
1000
7
5
SW Time -- ID
VDD= --25V
VGS = --4V
3
tf
--0.1
7
5
3
2
--0.01
2
100
7
5
3
2
10
td(off)
tr
td(on)
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--1.2
--0.01
2
3
5
7
--0.1
100
7
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT00098
f=1MHz
--10
VDS= --10V
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT00099
5
3
2
--9
--8
ID= --70mA
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
Ciss
Coss
Crss
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
--35
--40
--45
--50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.20
Drain to Source Voltage, VDS -- V
PD -- Ta
IT00100
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT00101
0.15
0.10
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT00102
No.6135-4/6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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