参数资料
型号: 5LP01M-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 50V 70MA MCP
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 70mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 23 欧姆 @ 40mA,4V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7.4pF @ 10V
功率 - 最大: 150mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商设备封装: 3-MCP
包装: 带卷 (TR)
5LP01M
--0.07
--0.06
ID -- VDS
--2
.
5V
--0.14
--0.12
ID -- VGS
VDS= --10V
--0.05
--0.10
--0.04
--2
.
0V
--0.08
--0.03
--0.06
--0.02
--0.01
0
VGS= --1.5V
--0.04
--0.02
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
40
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT00090
5
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- ID
IT00091
35
30
Ta=25 ° C
3
VGS= --4V
Ta=75 ° C
25
--20mA
I D= --40mA
2
25°C
20
--25°C
15
10
10
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
7
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- ID
IT00092
7
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- ID
IT00093
5
3
2
VGS= --2.5V
5
Ta=75°C
VGS= --1.5V
100
7
5
3
Ta=75 ° C
25°C
--25°C
3
2
25°C
--25°C
2
10
10
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
--0.001
2
3
5
7
--0.01
2
3
40
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- Ta
IT00094
5
Drain Current, ID -- A
| y fs | -- ID
IT00095
V DS=  --10V
35
3
2
-2.
=-
G
-4.
A,
0m =-
=-
, VG
mA
-40
Ta= --
30
25
20
15
ID
-2 S
=-
ID
V
S
5V
0V
0.1
7
5
3
2
2
75 ° C
5 ° C
25 ° C
10
0.01
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT00096
Drain Current, ID -- A
IT00097
No.6135-3/6
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