参数资料
型号: 5LN01M-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 50V 100MA SC59
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.8 欧姆 @ 50mA,4V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.57nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6.6pF @ 10V
功率 - 最大: 150mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: 3-MCP
包装: 带卷 (TR)
5LN01M
mm
Outline Drawing
5LN01M-TL-E, 5LN01M-TL-H
Mass (g) Unit
0.006
* For reference
Land Pattern Example
0.7
0.65 0.65
Unit: mm
No.6137-5/6
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PDF描述
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