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参数资料
| 型号： | 4N35-X007 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分类： | 电容 |
| 英文描述： | Tantalum Chip Capacitor |
| 中文描述： | 钽芯片电容器 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | 4N35-X007 |
4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
Document Number 83717
Rev. 1.5, 27-Jan-05
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
5
Figure 3. Normalized Non-saturated and Saturated CTR vs. LED
Current
Figure 4. Normalized Non-saturated and saturated CTR vs. LED
Current
Figure 5. Normalized Non-saturated and saturated CTR vs. LED
Current
i4n25_03
100
10
1
.1
0.0
0.5
1.0
1.5
IF- LED Current - mA
NCTR
-
Normalized
CTR
Normalized to:
CTRce(sat) Vce=0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
NCTR
NCTR(SAT)
TA=50°C
i4n25_04
100
10
1
.1
0.0
0.5
1.0
1.5
IF - LED Current - mA
NCTR
-
Normalized
CTR
Normalized to:
CTRce(sat) Vce=0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
NCTR
NCTR(SAT)
TA=70°C
i4n25_05
100
10
1
.1
0.0
0.5
1.0
1.5
IF - LED Current - mA
NCTR
-
Normalized
CTR
Normalized to:
CTRce(sat) Vce = 0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
NCTR
NCTR(SAT)
TA=85°C
Figure 6. Collector-Emitter Current vs. Temperature and LED
Current
Figure 7. Collector-Emitter Leakage Current vs.Temp.
Figure 8. Normalized CTRcb vs. LED Current and Temp.
i4n25_06
60
50
40
30
20
10
0
5
10
15
20
25
30
35
50°C
70°C
85°C
IF - LED Current - mA
Ice
-
Collector
Current
-
m
A
25°C
i4n25_07
100
80
60
40
20
0
–20
10
–2
–1
0
1
2
3
4
5
TA - Ambient Temperature - °C
Iceo
-
Collector-Emitter
-
n
A
Typical
Vce =10V
i4n25_08
Normalized to:
0.0
0.5
1.0
1.5
25°C
50°C
70°C
IF - LED Current - mA
NCTRcb
-
Normalized
CTRcb
.1
1
10
100
Vcb=9.3 V, IF=10 mA, TA=25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N35-X009 | Tantalum Chip Capacitor |
| 4N35DCJ | COMPATIBLE WITH STANDARD TTL INTEGRATED CIRCUITS |
| 4N35GV | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 4N35GVSERIES | Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits |
| 4N35MTA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N35-X007T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X009 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR >100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X016 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X017 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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