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参数资料
| 型号： | 4N35-X007 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分类： | 电容 |
| 英文描述： | Tantalum Chip Capacitor |
| 中文描述： | 钽芯片电容器 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | 4N35-X007 |
www.vishay.com
4
Document Number 83717
Rev. 1.5, 27-Jan-05
4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
Vishay Semiconductors
Current Transfer Ratio
1) Indicates JEDEC registered value
Switching Characteristics
1) Indicates JEDEC registered value
Typical Characteristics (Tamb = 25
°C unless otherwise specified)
Parameter
Test condition
Part
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
DC Current Transfer Ratio1)
VCE = 10 V, IF = 10 mA
4N35
CTRDC
100
%
4N36
CTRDC
100
%
4N37
CTRDC
100
%
VCE = 10 V, IF = 20 mA
4N38
CTRDC
20
%
VCE = 10 V, IF = 10 mA,
TA = - 55 to + 100 °C
4N35
CTRDC
40
50
%
4N36
CTRDC
40
50
%
4N37
CTRDC
40
50
%
4N38
CTRDC
30
%
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Switching time1)
IC = 2 mA, RL = 100 , VCC = 10 V
ton, toff
10
s
Figure 1. Forward Voltage vs. Forward Current
i4n25_01
100
10
1
.1
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
IF - Forward Current - mA
V
F
-
F
orward
Voltage
-
V
TA =–55°C
TA =25°C
TA =85°C
Figure 2. Normalized Non-Saturated and Saturated CTR vs. LED
Current
i4n25_02
Normalized to:
0.0
0.5
1.0
1.5
0
1
10
100
IF - LED Current - mA
NCTR
NCTR(SAT)
NCTR
-
Normlized
CTR
CTRce(sat) Vce=0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
TA=25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N35-X009 | Tantalum Chip Capacitor |
| 4N35DCJ | COMPATIBLE WITH STANDARD TTL INTEGRATED CIRCUITS |
| 4N35GV | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 4N35GVSERIES | Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits |
| 4N35MTA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N35-X007T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X009 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR >100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X016 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X017 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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