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参数资料
| 型号： | 4N27-X007 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分类： | 电容 |
| 英文描述： | Tantalum Chip Capacitor |
| 中文描述： | 钽芯片电容器 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | 4N27-X007 |
www.vishay.com
4
Document Number 83725
Rev. 1.4, 26-Jan-05
4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
Vishay Semiconductors
Switching Characteristics
Typical Characteristics (Tamb = 25
°C unless otherwise specified)
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Rise and fall times
VCE = 10 V, IF = 10 mA, RL = 100
tr, tf
2.0
s
Figure 1. Forward Voltage vs. Forward Current
Figure 2. Normalized Non-Saturated and Saturated CTR vs. LED
Current
i4n25_01
100
10
1
.1
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
IF - Forward Current - mA
V
F
-
F
orward
Voltage
-
V
TA =–55°C
TA =25°C
TA =85°C
i4n25_02
Normalized to:
0.0
0.5
1.0
1.5
0
1
10
100
IF - LED Current - mA
NCTR
NCTR(SAT)
NCTR
-
Normlized
CTR
CTRce(sat) Vce=0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
TA=25°C
Figure 3. Normalized Non-saturated and Saturated CTR vs. LED
Current
Figure 4. Normalized Non-saturated and saturated CTR vs. LED
Current
i4n25_03
100
10
1
.1
0.0
0.5
1.0
1.5
IF- LED Current - mA
NCTR
-
Normalized
CTR
Normalized to:
CTRce(sat) Vce=0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
NCTR
NCTR(SAT)
TA=50°C
i4n25_04
100
10
1
.1
0.0
0.5
1.0
1.5
IF - LED Current - mA
NCTR
-
Normalized
CTR
Normalized to:
CTRce(sat) Vce=0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
NCTR
NCTR(SAT)
TA=70°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N27-X009 | Tantalum Chip Capacitor |
| 4N27MTA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27MTB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27S1TA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27S1TB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N27-X007T | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:OPTOCOUPL DC-IN 1CH TRANS W/BASE DC-OUT 6PDIP SMD - Tape and Reel |
| 4N27-X009 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N27-X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N27-X017T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N27XSM | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD 制造商:isocom components 2004 ltd 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 通道数:1 电压 - 隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:10% @ 10mA 电流传输比（最大值）:- 打开 / 关闭时间（典型值）:- 上升/下降时间（典型值）:2μs，2μs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD，鸥翼型 供应商器件封装:6-SMD 标准包装:1,300 |
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