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参数资料
| 型号： | 129NQ150 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 120 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, D-67, HALF PACK-1 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | 129NQ150 |
129NQ...(R) Series
Bulletin PD-20719 rev. A 03/01
3
Fig. 2 - Typical Values Of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Fig. 1 - Max. Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 4 - Max. Thermal Impedance Z
thJC Characteristics
Forward Voltage Drop-V
FM (V)
Instantaneous
Forward
Current
-I
F
(A)
Reverse
Current
-I
R
(mA)
Reverse Voltage-V
R (V)
Reverse Voltage-V
R (V)
Junction
Capacitance
-C
T
(pF)
t
1,RectangularPulseDuration(Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJC
(°C/W)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
30
60
90
120
150
150C
125C
100C
75C
50C
25C
T = 175C
J
100
1000
10000
0
40
80
120
160
T = 25C
J
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
2
t
1
t
P
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
J
DM
thJC
C
2
1
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
1
10
100
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
T = 175C
T = 125C
T = 25C
J
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 12BS217 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 0.13mm, PANEL MOUNT |
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| 12RS40 | Analog IC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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