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参数资料
| 型号： | 129NQ150 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 120 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, D-67, HALF PACK-1 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | 129NQ150 |
129NQ...(R) Series
Bulletin PD-20719 rev. A 03/01
2
T
J
Max.JunctionTemperatureRange
-55to175
°C
T
stg
Max.StorageTemperatureRange
-55to175
°C
R
thJC Max.ThermalResistanceJunction
0.40
°C/W
DC operation
* See Fig. 4
toCase
R
thCS TypicalThermalResistance,Caseto
0.15
°C/W
Mountingsurface,smoothandgreased
Heatsink
wt
ApproximateWeight
25.6(0.9) g(oz.)
T
MountingTorque
Min.
40(35)
Non-lubricatedthreads
Max.
58(50)
TerminalTorque
Min.
58(50)
Max.
86(75)
CaseStyle
HALF PAK Module
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
129NQ Units
Conditions
Kg-cm
(Ibf-in)
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
(1)
1.07
V
@ 120A
* See Fig. 1
1.27
V
@ 240A
0.74
V
@ 120A
0.86
V
@ 240A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current (1)
3
mA
T
J =
25 °C
* See Fig. 2
45
mA
T
J = 125 °C
C
T
Max. Junction Capacitance
3000
pF
V
R = 5VDC, (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25 °C
L
S
Typical Series Inductance
7.0
nH
From top of terminal hole to mounting plane
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10,000
V/ s
( Rated V
R )
T
J =
25 °C
T
J = 125 °C
V
R = rated VR
Parameters
129NQ Units
Conditions
Electrical Specifications
I
F(AV) Max.AverageForwardCurrent
120
A
50%dutycycle@T
C = 117° C, rectangular wave form
*SeeFig.5
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
10000
5s Sineor3sRect.pulse
SurgeCurrent *SeeFig.7
1200
10msSineor6msRect. pulse
E
AS
Non-RepetitiveAvalancheEnergy
15
mJ
T
J = 25 °C, IAS = 1 Amps, L = 30 mH
I
AR
RepetitiveAvalancheCurrent
1
A
Current decaying linearly to zero in1sec
Frequency limited by T
J max. VA = 1.5 x VR typical
Parameters
129NQ Units
Conditions
Absolute Maximum Ratings
A
Part number
129NQ135
129NQ150
VR
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
Voltage Ratings
135
150
Following any rated
load condition and
with rated V
RRMapplied
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 12BS217 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 0.13mm, PANEL MOUNT |
| 12CTQ040-1TRRPBF | 6 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| 12F60PBF | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 12Q15.050 | Analog IC |
| 12RS40 | Analog IC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 129NQ150-1 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V 120A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.07V @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:3000pF @ 5V，1MHz 安装类型:底座安装 封装/外壳:HALF-PAK 供应商器件封装:PRM1-1（Half Pak 模块） 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:27 |
| 129NQ150R | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER |
| 129NQ150R-1 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V 120A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.07V @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:3000pF @ 5V，1MHz 安装类型:底座安装 封装/外壳:HALF-PAK 供应商器件封装:PRM1-1（Half Pak 模块） 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:27 |
| 129S-102 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:TRIMMERS & POTENTIOMETERS SPECTROL / BOX / 3/8" wirewound trimmer, 1K ohms, 5% |
| 129S1-433F | 制造商:RF Solutions LTD 功能描述:REMOTE CONTROL SYSTEM FM 1CH FM |
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