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参数资料
| 型号： | ZXGD3004E6TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 1.1ns |
| 电流 - 峰： | 8A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 40V |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1479 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXGD3004E6DKR |
ZXGD3004E6
Electrical characteristics (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).
Parameter
Output voltage, high
Output voltage, low
Symbol
V OH
V OL
Min.
Typ.
V IN1 – 0.4
V IN1 + 0.4
Max.
Unit
V
V
Conditions
I source = 1 A
I sink = 1 A
Source output leakage I L(source)
current
1
A
V CC = 40V,
V IN1 = V IN2 = 0V
Sink output leakage
I L(sink)
1
A
V CC = 40V,
current
V IN1 = V IN2 = V CC
Quiescent current
I Q
50
nA
V CC = 32V,
V IN1 = V IN2 = 0V
Source output current I (source)
1.2
1.9
A
I IN1 +I IN2 = 10mA
Sink output current
I (sink)
1.2
1.9
A
I IN1 +I IN2 = 10mA
Source output current I (source)PK
8
A
I IN1 +I IN2 = 1A
Sink output current
Gate driver
switching times
Gate driver
switching times
I (sink)PK
t d(rise)
t r
t d(fall)
t f
t d(rise)
t r
t d(fall)
t f
8
1.1
13.4
0.95
12.4
3.2
77.9
3.6
82
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
I IN1 +I IN2 = 1A
C L =1.5nF, R L =0.1 ,
V CC =15V, V IN =12.5V,
R S =25
C L =1.5nF, R L =0.1 ,
V CC =15V, V IN =12.5V,
R S =1k
Switching time test circuits
Timing diagram
Issue 1 - October 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
4
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXGD3005E6TA | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 |
| ZXGD3101N8TC | IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A SO8 |
| ZXGD3101T8TA | IC FLYBACK CONVERTER SOT223-8 |
| ZXGD3103N8TC | IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A SO8 |
| ZXGD3104N8TC | IC SYNCH MOSFET CNTLR SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXGD3005E6 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:10A (PEAK) GATE DRIVER IN SOT26 |
| ZXGD3005E6_11 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:25V 10A GATE DRIVER IN SOT26 |
| ZXGD3005E6TA | 功能描述:MOSFET 10A GATE DRIVER 25V VCC 25V VIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXGD3006E6 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V 10A GATE DRIVER IN SOT26 |
| ZXGD3006E6TA | 功能描述:变换器 Transistor Gate RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
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