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参数资料
| 型号： | ZVNL120ASTOB |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 200V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 250mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 85pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVNL120A
TYPICAL CHARACTERISTICS
V GS =
V GS =
1.6
1.4
10V
8V
6V
1.0
10V
8V
6V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
5V
4V
0.8
0.6
0.4
4V
3V
0.2
3V
0.2
0
2V
0
2V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
2
4
6
8
10
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Output Characteristics
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
1.6
1.4
V DS=
40V
500
1.2
1.0
20V
10V
400
300
V DS= 25V
0.8
0.6
0.4
0.2
200
100
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
500
400
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
100
80
300
200
100
0
V DS= 25V
60
40
20
C iss
C oss
C rss
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
10
20
30
40
50
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
3-402
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVNL120ASTOA | MOSFET N-CHAN 200V TO92-3 |
| 84BL-AB1-112BN | KEYPAD BACKLIT RUBBER 4X4 LO PRO |
| 3266Y-1-204RLF | TRIMMER 200K OHM 0.25W TH |
| F931D106MBA | CAP TANT 10UF 20V 20% 1411 |
| 46-102-A-04 | SWITCH PUSH SPDT 0.25A 115V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVNL120ASTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVNL120C | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVNL120CSTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVNL120CSTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVNL120CSTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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