参数资料
型号: ZVN3310ASTOB
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/3页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
标准包装: 4,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.4V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 40pF @ 25V
功率 - 最大: 625mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 带卷 (TR)
其它名称: Q1030741
ZVN3310A
TYPICAL CHARACTERISTICS
160
160
120
80
40
0
V DS= 25V
120
80
40
0
V DS= 25V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
12
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
V DS =
50
40
30
20
10
0
C iss
C oss
C rss
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I D= 0.6A
20V 50V
80V
0
10
20
30
40
50
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
3-380
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
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PDF描述
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参数描述
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ZVN3310B 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-39
ZVN3310D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP
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ZVN3310F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23