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参数资料
| 型号： | ZVN3306A |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 |
| 其它图纸： | TO-92 TO-92 Pin Out TO-92 Front TO-92 Side |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 270mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 35pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
ZVN3306A
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
180
160
140
50
40
120
V DS= 18V
30
C iss
100
80
60
40
20
10
20
0
0
C oss
C rss
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
V DD =20V 30V 50V
16
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
14
I D= 800mA
12
10
8
6
4
2
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
3-377
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参数描述 |
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