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参数资料
| 型号： | W3H11A4718AT1F |
| 厂商： | AVX Corporation |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | CAP FEEDTHRU 470PF 100V NP0 0612 |
| 产品目录绘图： | W3H Series Footprint W3H Series Side W3H Series Top |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | W3H |
| 电容： | 470pF |
| 电压： | 100V |
| 电流： | 4A |
| DC 电阻(DCR)： | 150 毫欧 |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 1206（3216 公制），宽（长端），0612（1632 公制），4 PC 板 |
| 包装： | 标准包装 |
| 高度（最大）： | 0.048"（1.22mm） |
| 尺寸/尺寸： | 0.063" L x 0.126" W（1.60mm x 3.20mm） |
| 产品目录页面： | 1855 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 478-5474-6 |
High Current Feedthru Capacitors
W2H/W3H Series
PERFORMANCE CHARACTERISTICS
0
-10
-20
-30
S21 0612 – 100V
10000
1000
100
10
IMPEDANCE 0612 – 100V
-40
-50
W3H11A2208
W3H11A4708
W3H11A1018
W3H11A2218
1
0.1
W3H11A2208
W3H11A4708
W3H11A1018
W3H11A2218
-60
W3H11A4718
0.01
W3H11A4718
1.E+05
1.E+06
1.E+07
1.E+08
1.E+09
1.E+10
1.E+05
1.E+06
1.E+07
1.E+08
1.E+09
1.E+10
0
-10
-20
Freq (0.3 MHz – 9 GHz)
S21 0612 – 50V / 25V
100
10
Freq (0.3 MHz – 9 GHz)
IMPEDANCE 0612 – 50V / 25V
-30
1
-40
-50
-60
-70
W3H15C1038
W3H15C2238
W3H15C4738
W3H15C1048
0.1
0.01
W3H15C1038
W3H15C2238
W3H15C4738
W3H15C1048
1.E+05
1.E+06
1.E+07
1.E+08
1.E+09
1.E+10
1.E+05
1.E+06
1.E+07
1.E+08
1.E+09
1.E+10
8
Freq (0.3 MHz – 9 GHz)
Freq (0.3 MHz – 9 GHz)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3362W-1-254 | TRIMMER 250K OHM 0.5W TH |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W3H128M64E-400SBI | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:128M X 64 DDR2, 1.8V, 400MHZ, 208PBGA COMMERICAL TEMP. - Bulk |
| W3H128M72E-400SBC | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:128M X 72 DDR2, 1.8V, 400MHZ, 208PBGA COMMERICAL TEMP. - Bulk |
| W3H128M72E-400SBI | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:128M X 72 DDR2, 1.8V, 400MHZ, 208PBGA INDUSTRIAL TEMP. - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SDRAM MEMORY |
| W3H128M72E-400SBM | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:128M X 72 DDR2, 1.8V, 400MHZ, 208PBGA MIL-TEMP. - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SDRAM MEMORY |
| W3H128M72E-533NBI | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:128M X 72 DDR2, 1.8V, 533MHZ, 208PBGA IND TEMP. - Bulk |
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