- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录368 > W25Q80BVSNIG (Winbond Electronics)IC SPI FLASH 8MBIT 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | W25Q80BVSNIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 59/75页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SPI FLASH 8MBIT 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（1M x 8） |
| 速度： | 104MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页当前第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页
W25Q80BV
7.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
7.1 Absolute Maximum Ratings (1)(2)
PARAMETERS
Supply Voltage
Voltage Applied to Any Pin
Transient Voltage on any Pin
Storage Temperature
Lead Temperature
Electrostatic Discharge Voltage
SYMBOL
VCC
V IO
V IOT
T STG
T LEAD
V ESD (3)
CONDITIONS
Relative to Ground
<20nS Transient
Relative to Ground
Human Body Model
RANGE
– 0.6 to 4.6V
– 0.6 to VCC+0.4
– 2.0V to VCC+2.0V
– 65 to +150
See Note
– 2000 to +2000
UNIT
V
V
V
° C
° C
V
Notes:
1.This device has been designed and tested for the specified operation ranges. Proper operation outside of these levels is not
guaranteed. Exposure to absolute maximum ratings may affect device reliability. Exposure beyond absolute maximum ratings may
cause permanent damage.
2.JEDEC Std JESD22-A114A (C1=100pF, R1=1500 ohms, R2=500 ohms).
3.Compliant with JEDEC Standard J-STD-20C for small body Sn-Pb or Pb-free (Green) assembly and the European directive on
restrictions on hazardous substances (RoHS) 2002/95/EU.
7.2 Operating Ranges
PARAMETER
Supply Voltage
Ambient Temperature,
Operating
SYMBOL
VCC
T A
CONDITIONS
F R = 80MHz, f R = 50MHz
F R = 104MHz, f R = 50MHz
Commercial
Industrial
MIN
2.5
3.0
0
-40
SPEC
MAX
3.6
3.6
+70
+85
UNIT
V
°C
Note:
1.VCC voltage during Read can operate across the min and max range but should not exceed ±10% of the programming
(erase/write) voltage.
Publication Release Date: October 09, 2013
- 59 -
Revision I
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q80BWSSIG | IC FLASH SPI 8MBIT 8SOIC |
| W25X40BVZPIG | IC SPI FLASH 4MBIT 8WSON |
| W25X64VZEIG | IC FLASH 64MBIT 75MHZ 8WSON |
| W25X80AVDAIZ | IC FLASH 16MBIT 100MHZ 8DIP |
| W29GL032CB7A | IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q80BVSNIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 8MBIT 104MHZ 8SOIC |
| W25Q80BVSNIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVSSAG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVSSAP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVSSIG | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。