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参数资料
| 型号： | W19B320ATT7H |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 34/53页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 32M（4M x 8，2M x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -20°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
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W19B320AT/B
7.10 Erase Algorithm
START
Write Program
Command Sequence
(Note1,2)
No
Data Poll to Erasing
Bank from System
Embedded
Erase
algorithm
in progress
Data=FFh?
Yes
Erase Completed
Notes:
1. See Command Definitions Table for erase command sequence details.
2. See DQ3 section for the sector erase timer details.
7.11 Data Polling Algorithm
START
Read DQ7-DQ0
Addr=VA
Yes
DQ7=Data?
No
No
DQ5=1?
Yes
Read DQ7-DQ0
Addr=VA
DQ7=Data?
No
FAIL
Yes
PASS
Notes:
1. VA = Valid address for programming. During a sector erase operation; a valid address is any sector address within the
sector being erased. During chip erase, a valid address is any non-protected sector address.
2. DQ7 should be rechecked even if DQ5 = “1” because DQ7 may change simultaneously with DQ5.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W19B320BTT7H | IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP |
| W25Q128BVEIG | IC SPI FLASH 128MBIT 8WSON |
| W25Q16BVSFIG | IC SPI FLASH 16MBIT 16SOIC |
| W25Q16CVSFIG | IC SPI FLASH 16MBIT 16SOIC |
| W25Q16DWSFIG | IC FLASH SPI 16MBIT 16SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
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