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参数资料
| 型号： | VUM25-05E |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET STAGE BOOST 500V V1-A |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 600V |
| 电流 - DC 正向(If)： | 40A |
| 二极管类型： | 三相 - PFC 模块 |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 安装类型： | PCB |
| 封装/外壳： | 螺钉安装 |
| 包装： | 散装 |
VUM 25-05E
50
A T V J =100 ° C
V R = 350 V
40
1.4
1.2
0.6
μ s
0.5
T V J =100 ° C
V R = 350 V
I RM
30
I F = 37 A
I F = 74 A
I F = 37 A
I F = 18.5 A
max.
K t
1.0
I RM
t rr
0.4
0.3
max.
I F = 37 A
I F = 74 A
I F = 37 A
20
0.8
0.2
I F = 18.5 A
10
typ.
0.6
Q r
0.1
typ.
°C
0
0
100
200
300 400
A/ μ
500 s 600
0.4
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0
100
200
A/ μ
300 400 500 s 600
-di F /dt
Fig. 10 Peak reverse current versus
-di F /dt (Diodes)
T J VJ
Fig. 11 Dynamic parameters versus
junction temperature (Diodes)
-di F /dt
Fig. 12 Recovery time versus
-di F /dt (Diodes)
18
0.9
2.5
V
16
14
V FR
12
V FR
μ s
0.7
K/W
2.0
Z thJC
1.5
VUM 25
Diode
10
8
0.5
1.0
6
4
t FR
0.3
t FR
0.5
MOSFET
2
0
100
200
0.1
A/ μ s
300 400 500 600
0.0
0.01
0.1
1
s
10
di F /dt
Fig. 13 Peak forward voltage versus
t
Fig. 14 Transient thermal impedance junction to case for all devices
-di F /dt (Diodes)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VUM33-05N | MOSFET STAGE BOOST 500V V1-B |
| VUM85-05A | MOSFET STAGE BOOST 500V V2-PACK |
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| XY2B-1006 | ATTACHMENT FOR XG2A |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VUM33-05 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Power MOSFET Stage for Boost Converters |
| VUM33-05N | 功能描述:分立半导体模块 33 Amps 500V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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| VUM955FLKIT | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:CARRIAGE PRT KT |
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