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参数资料
| 型号： | VNL5050S5-E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 电源管理 |
| 英文描述： | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
| 文件页数： | 24/32页 |
| 文件大小： | 490K |
| 代理商： | VNL5050S5-E |
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Revision history
VNL5050N3-E / VNL5050S5-E
Doc ID 15917 Rev 4
6
Revision history
Table 20.
Document revision history
Date
Revision
Changes
9-Jan-2008
1
Initial release.
25-Jun-2009
2
Updated corporate template from V2 to V3
–VESD1: updated parameter and value
–VESD2: changed value
–Rthj-case: deleted max value for SO-8
–Rthj-amb: added max value for both SOT-223 and SO-8
–VSD: added typ value
–VICL: added min/max value for IS = 1 mA
–VINTH: added min/max value
–VSTCL: added max value for ISTAT = 1 mA
–VICL: added max value for IN = 1 mA
–IS: changed unit of measurement for ON-state.
–VVSL: added max value for ISTAT = 1 mA
–td(OFF): changed typ value both for SOT-223 and SO-8
–WON: added typ value for SO-8
–WOFF: added typ value for SO-8
– Added all typ column for SOT-223
–IlimL: changed typ value
–tdlimL: changed typ value
– Deleted row TR valid for VNL5050N3-E option
Added Figure 11: Output characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNL5050N3TR-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3 |
| VO27.0000000M0000001 | VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT |
| VP06DDC1R0N999 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
| VP06DDC1R0N001 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
| VP06DDC1R0M999 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VNL5050S5TR-E | 功能描述:功率驱动器IC 19A OMNIFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VNL5090N3TR-E | 功能描述:功率驱动器IC OMNIFET III Low Side 13A 41V 90mOhm RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VNL5090S5TR-E | 功能描述:功率驱动器IC OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VNL5160N3-E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET III fully protected low-side driver |
| VNL5160N3TR-E | 功能描述:功率驱动器IC Double Ch High Side Driver analog currnt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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