| 型号： | VI20120SG-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 155K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 20A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.33V @ 20A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 250µA @ 120V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262AA |
| 包装： | 管件 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VI20120SGHM3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:20A,120V,TRENCH SKY RECT. |
| VI20120SGHM3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| VI20120SG-M3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:20A,120V,TRENCH SKY RECT. |
| VI20120SG-M3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| VI20120SHM3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:20A,120V,TRENCH SKY RECT. |