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参数资料
| 型号： | UGF10GCT-E3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 143K |
| 描述： | DIODE 10A 400V 35NS DUAL TO220-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | ITO-220AB |
| 包装： | 管件 |
UG(F,B)10FCT & UG(F,B)10GCT, BYT28(F,B)-300 & BYT28(F,B)-400
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88552
Revision: 06-Nov-07
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3
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
0
5
15
0
50
100
150
10
Resistive or Inductive Load
A
v
erage For
w
ard C
u
rrent (A)
Case Temperature (°C)
1
10
100
1
100
10
TC
= 105 °C
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Peak For
w
ard S
u
rge C
u
rrent (A)
100
10
1.0
0.1
0.01
0.2 0.4 0.0.6 1.0 1.28
1.4 1.6 1.8
Pulse Width = 300 μs
1 %
D
uty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TJ
= 100 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Reverse Switching Characteristics Per Diode
Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode
1.0
10
100
1000
0.1
20
100
40 60
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (
μ
A)
TJ
= 100 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
0
25 50
20
40
60
80
100
120
75 100 125
Stored Charge/Re
v
erse Reco
v
ery Time
(nC/ns)
Junction Temperature (°C)
trr
Qrr
at 5 A, 50 A/μs
at 2 A, 20 A/μs
at 5 A, 50 A/μs
at 1 A, 100 A/μs
at 2 A, 20 A/μs
10
1
100
10
100
1
0.1
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 125 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95Z476K010HSSL | CAP TANT 47UF 10V 10% 2910 |
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| GEC15DRYI-S13 | CONN EDGECARD 30POS .100 EXTEND |
| BYT28F-400-E3/45 | DIODE DUAL 10A 400V TO-263AB |
| ISL89160FBEAZ-T | IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UGF10GCTHE3/45 | 功能描述:整流器 10 Amp 400 Volt 20ns Dual 60 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UGF10J | 制造商:ZOWIE 制造商全称:Zowie Technology Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFACE EFFICIENT RECTIFIER |
| UGF10K | 制造商:ZOWIE 制造商全称:Zowie Technology Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFACE EFFICIENT RECTIFIER |
| UGF12HT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Ultrafast Rectifiers |
| UGF12HT-E3/45 | 功能描述:整流器 500 Volt 12 Amp 30ns 135 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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