参数资料
| 型号： | TLV342IDG4 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 31/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP R-R 2.3MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 75 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 1 V/µs |
| 增益带宽积： | 2.3MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1pA |
| 电压 - 输入偏移： | 300µV |
| 电流 - 电源： | 75µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 115mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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TLV341, TLV342, TLV342S, TLV344
LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS
WITH SHUTDOWN
SLVS568C JANUARY 2005 REVISED NOVEMBER 2007
4
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
symbol (each amplifier)
V+
VO
+
VI
+
C = 200 pF
V+
Sample
Clock
absolute maximum ratings over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
Supply voltage, V+ (see Note 1)
5.5 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Differential input voltage, VID (see Note 2)
±5.5 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Input voltage range, VI (either input)
0 to 5.5 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Package thermal impedance,
θJA (see Notes 3 and 4): D package (8 pin)
97
°C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
D package (14 pin)
86
°C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DBV package
165
°C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DCK package
259
°C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DGK package
172
°C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DRL package
142
°C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
PW package
113
°C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RUG package
243
°C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating virtual junction temperature
150
°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage temperature range, Tstg
65
°C to 150°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Stresses beyond those listed under “absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.
NOTES:
1. All voltage values (except differential voltages and V+ specified for the measurement of IOS) are with respect to the network GND.
2. Differential voltages are at IN+ with respect to IN.
3. Maximum power dissipation is a function of TJ(max),
θJA, and TA. The maximum allowable power dissipation at any allowable
ambient temperature is PD = (TJ(max) TA)/
θJA. Selecting the maximum of 150°C can affect reliability.
4. The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51-7.
recommended operating conditions
MIN
MAX
UNIT
V+
Supply voltage (single-supply operation)
1.5
5.5
V
TA
Operating free-air temperature
40
125
°C
ESD protection
TEST CONDITIONS
TYP
UNIT
Human-Body Model
2000
V
Machine Model
200
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2510-6003UB | CONN HEADER 10POS STR GOLD T/H |
| FWJ-08-01-T-S | CONN HEADER .156" 8POS SNGL TIN |
| 68602-572 | BERGSTIK II .100" DR STRAIGHT |
| 68692-272 | BERGSTIK II .100" DR STRAIGHT |
| 77313-801-50LF | CONN HEADER .100 DUAL STR 50POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TLV342IDGKR | 功能描述:运算放大器 - 运放 Lo-Vltg Rail-to-Rail Output CMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV342IDGKRG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Lo Vltg Rail to Rail Output CMOS Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV342IDGKT | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIT OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| TLV342IDR | 功能描述:运算放大器 - 运放 Low-Voltage R-To-R Output CMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV342IDRE4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Low-Voltage R-To-R Output CMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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