参数资料
| 型号： | TLC2272IDG4 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 74/77页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP R-R 2.25MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | LinCMOS™ |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 3.6 V/µs |
| 增益带宽积： | 2.25MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1pA |
| 电压 - 输入偏移： | 300µV |
| 电流 - 电源： | 2.4mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4.4 V ~ 16 V，±2.2 V ~ 8 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TLC2272ACDG4 | IC OPAMP GP R-R 2.25MHZ 8SOIC |
| 108477048001049 | CONN HEADER INVRTD 48POS STR |
| 108477048006025 | CONN HEADER INVRTD 48POS STR |
| 108477096001033 | CONN HEADER INVRTD 32POS STR |
| MCP6022-I/SN | IC OPAMP 2.5V DUAL R-R 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TLC2272IDR | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Lo-Noise R-To-R Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLC2272IDRG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Lo-Noise R-To-R Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLC2272IP | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Low Noise RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLC2272IPE4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Lo-Noise R-To-R Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLC2272IPW | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Lo-Noise R-To-R Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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