参数资料
型号: SY10E142JC
厂商: Micrel Inc
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: IC SHIFT REGISTER 9-BIT 28-PLCC
标准包装: 38
系列: 10E
逻辑类型: 移位寄存器
输出类型: 标准
元件数: 1
每个元件的位元数: 9
功能: 通用
电源电压: 4.2 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 28-LCC(J 形引线)
供应商设备封装: 28-PLCC
包装: 管件
3
SY10E112
SY100E112
Micrel, Inc.
M9999-032006
hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
TRUTH TABLE
EN
Qn
LDn
Dn
HH
L
VEE = VEE (Min.) to VEE (Max.); VCC = VCCO = GND
TA = –40
°CTA = 0°CTA = +25°CTA = +85°C
Symbol
Parameter
Min.
Typ. Max. Min.
Typ.
Max. Min.
Typ.
Max. Min.
Typ. Max.
Unit
tPD
Propagation Delay to Output
ps
D
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
EN
275
450
675
275
450
675
275
450
675
275
450
675
tskew
Within-Device Skew
ps
Dn to Qn, Qn(1)
—
80—
—80
—
—80
—
80—
Qna to Qnb(2)
—
40—
—40
—
—40
—
40—
tr
Rise/Fall Time
275
425
700
275
425
700
275
425
700
275
425
700
ps
tf
20% to 80%
Notes:
1. Within-device skew is defined as identical transitions on similar paths through a device.
2. Skew defined between common OR or common NOR outputs of a single gate.
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VEE = VEE (Min.) to VEE (Max.); VCC = VCCO = GND
TA = –40
°CTA = 0°CTA = +25°CTA = +85°C
Symbol
Parameter
Min.
Typ. Max. Min.
Typ.
Max. Min.
Typ.
Max. Min.
Typ.
Max.
Unit
IIH
Input HIGH Current
A
EN
—
150
—
150
—
150
—
150
D
—
200
—
200
—
200
—
200
IEE
Power Supply Current
mA
10E
—
47
56
—
47
56
—
47
56
—
47
56
100E
—
47
56
—
47
56
—
47
56
—
54
65
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
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SY10E142JC TR 功能描述:IC SHIFT REGISTER 9-BIT 28-PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 移位寄存器 系列:10E 标准包装:1,000 系列:- 逻辑类型:移位寄存器 输出类型:差分 元件数:1 每个元件的位元数:4 功能:串行至并行 电源电压:4.2 V ~ 5.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商设备封装:24-SOIC 包装:带卷 (TR)
SY10E142JI 功能描述:IC SHIFT REGISTER 9-BIT 28-PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 移位寄存器 系列:10E 标准包装:1,000 系列:- 逻辑类型:移位寄存器 输出类型:差分 元件数:1 每个元件的位元数:4 功能:串行至并行 电源电压:4.2 V ~ 5.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商设备封装:24-SOIC 包装:带卷 (TR)
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SY10E142JY 功能描述:寄存器 9-bit Shift Register (I Temp, Lead Free) RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube
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