参数资料
| 型号： | SM15T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS DIODE ARRAY 15V SOT-23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 15V |
| 电压 - 击穿： | 16.7V |
| 功率（瓦特）： | 300W |
| 电极标记： | 双向，单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SM05T1G Series, SZSM05T1G
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Power Dissipation @ 20 m s (Note 1) @ T L ? 25 ? C
IEC 61000 ? 4 ? 2 (ESD)
Air
Contact
IEC 61000 ? 4 ? 4 (EFT)
IEC 61000 ? 4 ? 5 (Lightening)
Total Power Dissipation on FR ? 5 Board (Note 2) @ T A = 25 ? C
Derate above 25 ? C
Thermal Resistance, Junction ? to ? Ambient
Total Power Dissipation on Alumina Substrate (Note 3) @ T A = 25 ? C
Derate above 25 ? C
Thermal Resistance, Junction ? to ? Ambient
Junction and Storage Temperature Range
Lead Solder Temperature ? Maximum (10 Second Duration)
Symbol
P pk
? P D ?
R q JA
? P D
R q JA
T J , T stg
T L
Value
300
? 15
? 8.0
40
12
225
1.8
556
300
2.4
417
? 55 to +150
260
Unit
W
kV
A
A
? mW ?
mW/ ? C
? C/W
? mW
mW/ ? C
? C/W
? C
? C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Non ? repetitive current pulse per Figure 3
2. FR ? 5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.
3. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in., 99.5% alumina
NOTE: Other voltages may be available upon request
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIDIRECTIONAL (Circuit tied to Pins 1 and 3 or 2 and 3)
Symbol
I PP
V C
V RWM
I R
Parameter
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I PP
Working Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
I F
I
I R V F
V BR
I T
Q V BR
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
Maximum Temperature Coefficient of V BR
V C V BR V RWM
I T
V
I F
V F
Forward Current
Forward Voltage @ I F
Z ZT
I ZK
Z ZK
Maximum Zener Impedance @ I ZT
Reverse Current
Maximum Zener Impedance @ I ZK
I PP
Uni ? Directional TVS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ? C unless otherwise noted)
V RWM
I R @ V RWM
V BR , Breakdown Voltage
(Volts)
I T
V C @
I PP =
1 Amp
Max I PP
(Note 4)
Typical
Capacitance
(pF)
Device*
SM05T1G
SM12T1G
SM15T1G
SM24T1G
SM36T1G
Device
Marking
05M
12M
15M
24M
36M
(Volts)
5
12
15
24
36
( m A)
10
1.0
1.0
1.0
1.0
Min
6.2
13.3
16.7
26.7
40.0
Max
7.3
15.75
19.6
31.35
46.95
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
(Volts)
9.8
19
24
43
60
(Amps)
17
12
10
5.0
4.0
Pin 1 to 3
@ 0 Volts
225
95
100
60
45
4. 8 ? 20 m s pulse waveform per Figure 3
*Include SZ-prefix devices where applicable.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 77313-815-06 | HDR STR DR .100 DP |
| 77313-138-08 | HDR STR DR .100 DP |
| SMBJ85A | TVS UNIDIRECT 600W 85V SMB |
| 951218-4620-AR-PT | CONN HEADER 18POS 2MM R/A SMD |
| 951131-2530-AR-PT | CONN HEADER 31POS 2MM VERT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SM15T200A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 200V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM15T200A/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 200V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM15T200A/59T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 200V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM15T200A/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 200V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM15T200A-E3/1T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 200V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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