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参数资料
| 型号： | SI8661ED-B-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 6/40页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOLATOR 6CH 5.0KV 16-SOIC |
| 标准包装： | 46 |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 5/1 |
| 通道数： | 6 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 数据速率： | 150Mbps |
| 传输延迟： | 8ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 其它名称： | 336-2123-5 |
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Si8660/61/62/63
Table 2. Electrical Characteristics (Continued)
(V DD1 = 5 V ±10%, V DD2 = 5 V ±10%, T A = –40 to 125 °C)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
10 Mbps Supply Current (All inputs = 5 MHz square wave, CI = 15 pF on all outputs)
Si8660Bx, Ex
V DD1
V DD2
—
—
5.0
5.9
7.0
8.3
mA
Si8661Bx, Ex
V DD1
V DD2
—
—
5.2
6.1
7.3
8.5
mA
Si8662Bx, Ex
V DD1
V DD2
—
—
5.6
5.9
7.9
8.2
mA
Si8663Bx, Ex
V DD1
V DD2
—
—
5.7
5.7
8.0
8.0
mA
100 Mbps Supply Current (All inputs = 50 MHz square wave, CI = 15 pF on all outputs)
Si8660Bx, Ex
V DD1
V DD2
—
—
5.0
26.2
7.0
34.1
mA
Si8661Bx, Ex
V DD1
V DD2
—
—
8.8
23
11.8
29.8
mA
Si8662Bx, Ex
V DD1
V DD2
—
—
12.8
19.4
16.6
25.2
mA
Si8663Bx, Ex
V DD1
V DD2
—
—
16.4
16.4
21.3
21.3
mA
Notes:
1. The nominal output impedance of an isolator driver channel is approximately 50 ? , ±40%, which is a combination of
the value of the on-chip series termination resistor and channel resistance of the output driver FET. When driving loads
where transmission line effects will be a factor, output pins should be appropriately terminated with controlled
impedance PCB traces.
2. t PSK(P-P) is the magnitude of the difference in propagation delay times measured between different units operating at
the same supply voltages, load, and ambient temperature.
3. Start-up time is the time period from the application of power to valid data at the output.
6
Rev. 1.5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P08026 | POWER STRIP SURGE CHECK 6' 6OUT |
| N3372-6302RB | CONN HEADER 60POS STR LONG LATCH |
| SI8662ED-B-IS | IC ISOLATOR 6CH 5.0KV 16-SOIC |
| N3372-5302RB | CONN HEADER 60PS R/A LONG LATCH |
| SI8661EC-B-IS1 | IC ISOLATOR 6CH 3.75KV 16-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8661ED-B-ISR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:6-CH CH 5.0 KV ISOLATOR, 150M, 5/1, WB SOIC16, LEAD FREE (DE - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ISOLATOR 6CH 5.0KV 16-SOIC 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:6-ch Ch 5.0 kV Iso 150M 5/1 WB |
| SI8662AB-B-IS1 | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:6-CH CH 1.0KV ISOLATOR, 1M, 6/2, NB SOIC16, LEAD FREE - Rail/Tube |
| SI8662AB-B-IS1R | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:6-CH CH 1.0KV ISOLATOR, 1M, 6/2, NB SOIC16, LEAD FREE - Tape and Reel |
| SI8662BB-B-IS1R | 功能描述:DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC 制造商:silicon labs 系列:* 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:1 |
| SI8662BB-B-IU | 功能描述:6-CH 2.5KV ISOLATOR, 150M, 4/2, 制造商:silicon labs 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 技术:容性耦合 类型:通用 隔离式电源:无 通道数:6 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:4/2 通道类型:单向 电压 - 隔离:2500Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/μs 数据速率:150Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:13ns，13ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:16-QSOP 标准包装:48 |
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