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参数资料
| 型号： | SI8410BD-A-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 19/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOLATOR 1CH 5KV 150M 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 46 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 1/0 |
| 通道数： | 1 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 数据速率： | 150Mbps |
| 传输延迟： | 6ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 产品目录页面： | 628 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1932-5 SI8410BD-A-IS-ND |
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Si8410/20/21 (5 kV)
Si8422/23 (2.5 & 5 kV)
Table 11. Thermal Characteristics
Parameter
IC Junction-to-Air Thermal Resistance
Symbol
? JA
WB SOIC-16
100
NB SOIC-8
140
Unit
oC/W
500
460
375 360
V DD1 , V DD2 = 2.70 V
250
125
0
220
V DD1 , V DD2 = 3.3 V
V DD1 , V DD2 = 5.5 V
0
50
100
150
200
Case Temperature (oC)
Figure 2. (WB SOIC-16) Thermal Derating Curve, Dependence of Safety Limiting Values
with Case Temperature per DIN EN 60747-5-5
400
320
300 270
V DD1 , V DD2 = 2.70 V
200
100
0
160
V DD1 , V DD2 = 3.3 V
V DD1 , V DD2 = 5.5 V
0
50
100
150
200
Case Temperature (oC)
Figure 3. (NB SOIC-8) Thermal Derating Curve, Dependence of Safety Limiting Values
with Case Temperature per DIN EN 60747-5-5
Rev. 1.3
19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3612KL-04W-B59-E50 | FAN DC AXIAL 12V 92X32 TAC |
| SI8620BC-B-IS | IC ISOLATOR 2CH 3.75KV 8-SOIC |
| M80-4610605 | CONN RECEPT 2MM 6POS 24-28AWG |
| FAD1-12038DBJW12 | FAN 120X38.5MM 24VDC BALL WIRE |
| FAD1-12038DBMW12 | FAN 120X38.5MM 24VDC BALL WIRE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8410BD-A-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 Single Ch 5kV Isolator 150M RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8410-B-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Single Ch 2.5kV Iso 10M 1/0 SOIC8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8410-C-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Single Ch 2.5kV Iso 150M 1/0 SOIC8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8411DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI8411DB-T1 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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