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参数资料
| 型号： | S2010F12RP |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 10 A, 200 V, SCR |
| 封装： | TO-202AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 3965K |
| 代理商： | S2010F12RP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S2010F132 | 10 A, 200 V, SCR |
| S4006F111 | 6 A, 400 V, SCR |
| S4006F112 | 6 A, 400 V, SCR |
| S4006F121 | 6 A, 400 V, SCR |
| S4006F123 | 6 A, 400 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S2010FS21 | 功能描述:SCR 10A 200V Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| S2010FS31 | 功能描述:SCR 10A 200V Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| S2010GE10PL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS |
| S2010GE5PL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS |
| S2010GE6PL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS |
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