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参数资料
| 型号： | QRE1113 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SENSOR REFL 5MM PHOTOTRANS THRU |
| 产品目录绘图： | QRE1113 Series QRE Series Schematic |
| 标准包装： | 160 |
| 检测距离： | 0.197"（5mm） |
| 检测方法： | 反射 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 输出类型： | 光电晶体管 |
| 响应时间： | 20µs，20µs |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 4-SMD |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 产品目录页面： | 2777 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Curves (Continued)
50
40
T A = 25?C
100
V CC = 10 V
t pw = 100 us
T=1ms
T A = 25?C
I C = 0.3 mA
t f
30
t r
10
20
t f
10
t r
I C = 1 mA
0
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1
0.1
1
10
V F - FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 6 Forward Current vs. Forward Voltage
R L - LOAD RESIST ANCE (K ? )
Fig. 7 Rise and Fall Time vs. Load Resistance
3.0
2.5
1.0
2.0
1.5
1.0
I F = 50 mA
I F = 20 mA
I F = 10 mA
0.9
0.8
0.7
0.5
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
T A - AMBIENT TEMPERATURE (?C)
Fig. 8 Forward Voltage vs. Ambient Temperature
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
QRE1113, QRE1113GR Rev. 1.7.1
5
ANGULAR DISPLACEMENT
Fig. 8 Radiation Diagram
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QRE1113.GR | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:REFLECTIVE OBJECT SENSOR |
| QRE1113GR | 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Sensor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel |
| QRE1113GR | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Reflective Object Sensor |
| QRE1113GR_Q | 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Sensor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel |
| QRE1113GR-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:QRE1113 Series 30 V 50 mA Miniature Reflective Object Sensor - SMD-4 |
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