参数资料
型号: QEB363GR
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: LED IR EMITTING 940NM 2MM GW T/R
标准包装: 1
电流 - DC 正向(If): 100mA
辐射强度(le)最小值@正向电流: 8mW/sr @ 100ma
波长: 940nm
正向电压: 1.6V
视角: 24°
方向: 顶视图
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 2-SMD,鸥翼型
包装: 标准包装
其它名称: QEB363GRDKR
Typical Performance Curves
Fig. 1 Maximum Forward Current vs.
Temperature
200
160
120
80
Fig. 2 Relative Radiant Intensity vs.
Wavelength
100
I F = 20 mA
T A = 25?C
80
60
40
40
20
0
-25
0
25
50
75
85
100
0
Ambient Temperature T A (?C)
Fig. 3 Peak Emission Wavelength vs.
Ambient Temperature
980
960
500
200
100
880 900 920 940 960 980 1000 1020 1040
Wavelength λ (nm)
Fig. 4 Forward Current vs.
Forward Voltage
50
940
20
920
10
5
900
-25
0
25
50
75
100
2
1
Ambient Temperature T A (?C)
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
Fig. 5 Relative Radiant Flux vs.
Ambient Temperature
20
10
Forward Voltage V F (V)
Fig. 6 Relative Radiant Intensity vs.
Angular Displacement
30
20
10
0
10
20
30
5
2
1
0.5
0.2
0.1
40
50
60
70
80
90
40
50
60
70
80
90
-25
0
25
50
75
100
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
Ambient Temperature T A (?C)
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
QEB363 Rev. 1.0.0
3
Ambient Temperature T A (?C)
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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QEB363ZR 功能描述:红外发射源 Subminiature LED Plastic RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
QEB373 功能描述:红外发射源 T3-4 ALGAAS LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
QEB373.ZR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / T3-4 ALGAAS LED Z BEND T-R
QEB373_06 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Subminiature Plastic Infrared Emitting Diode