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参数资料
| 型号： | PNA4602M |
| 厂商： | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTO IC INFRARED 38.0KHZ |
| 产品目录绘图： | PNA4xxxM Series Side PNA4xxxM Series |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | * |
| 检测距离： | 10m |
| B.P.F. 中心频率： | 38.0kHz |
| 电源电压： | 4.8 V ~ 5.2 V |
| 电流 - 电源： | 3mA |
| 方向： | 侧视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Photo IC
PNA4602M
Photodiode with Photodetection Function
For infrared remote control systems
? Features
? Extension distance: 8 m or more
? External parts not required
? Adoption of visible light cutoff resin
? Absolute Maximum Ratings T a = 2 5 ° C
Parameter
Operating supply voltage
Power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
Soldering temperature *
Symbol
V CC
P D
T opr
T stg
T sol
Rating
– 0.5 to +7
200
–20 to +75
–40 to +100
260
Unit
V
mW
° C
° C
° C
Note) *: Less than 5 s
? Electrical-Optical Characteristics T a = 25 ° C ± 3 ° C
Parameter
Operating supply voltage
Supply current
Maximum reception distance *1
Low level output voltage *2
High level output voltage
Low level pulse width *1
High level pulse width *1
Symbol
V CC
I CC
L max
V OL
V OH
T WL
T WH
Conditions
No signal condition
L ≤ 8.0 m, I OL = 400 μ A
No signal condition, I OH = ? 10 μ A
L = 0.1 m to 8.0 m, 16 pulse
L = 0.1 m to 8.0 m, 16 pulse
Min
4.7
1.8
8.0
4.75
200
200
Typ
5.0
2.4
10.0
0.35
4.8
400
400
Max
5.3
3.0
0.5
600
600
Unit
V
mA
m
V
V
μ s
μ s
Center frequency
f O
38.0
kHz
Load resistance
R L
15
20
25
k W
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. *1:Burst wave form ? gure 1.
*2:Constant wave form Figure 2.
Carrier frequency: f O
Carrier frequency: f O
400 μ s
Publication date: October 2008
400 μ s
Figure 1
SHE00065AEK
20 ms
Figure 2
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 1612P72 | CABLE SGL-END STR PLUG 12POS 6' |
| A6S-4102-H | SWITCH DIP 4POS TOP ACT GULLEAD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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