参数资料
型号: NUP2105LT3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: IC CAN BUS PROTECTOR DUAL SOT-23
产品变化通告: Wire Change 08/Jun/2009
Product Obsolescence 07/Jul/2010
标准包装: 10,000
电压 - 反向隔离(标准值): 24V
电压 - 击穿: 26.2V
功率(瓦特): 350W
电极标记: 2 通道阵列 - 双向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 带卷 (TR)
NUP2105L, SZNUP2105L
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ? C unless otherwise noted)
110
100
90
80
70
60
50
c ? t
t d = I PP /2
WAVEFORM
PARAMETERS
t r = 8 m s
t d = 20 m s
12.0
10.0
8.0
6.0
PULSE WAVEFORM
8 x 20 m s per Figure 1
40
30
20
10
4.0
2.0
0
0
5
10
15
20
25
30
0.0
25
30
35
40
45
50
35
t, TIME ( m s)
Figure 1. Pulse Waveform, 8 ? 20 m s
f = 1.0 MHz, Line to Ground
V C , CLAMPING VOLTAGE (V)
Figure 2. Clamping Voltage vs Peak Pulse Current
50
45
30
25
125 ? C
25 ? C
40
35
30
20 ? 40 ? C
15
25
20
15
10
5
25 ? C
? 55 ? C
65 ? C
T A = +150 ? C
10
0
2
4
6
8
10
0
20
22
24
26
28
30
32
34
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 3. Typical Junction Capacitance vs
Reverse Voltage
V BR , VOLTAGE (V)
Figure 4. V BR versus I T Characteristics
25
? 55 ? C
120
20
15
+25 ? C
+65 ? C
T A = +150 ? C
100
80
60
10
5
40
20
0
0
2
4 6 8
I L , LEAKAGE CURRENT (nA)
10
12
0
? 60
? 30
0 30 60 90
TEMPERATURE ( ? C)
120
150 180
Figure 5. I R versus Temperature Characteristics
Figure 6. Temperature Power Dissipation Derating
http://onsemi.com
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PDF描述
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