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参数资料
| 型号： | NTK3139PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-723 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-723 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 660mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 780mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 310mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | SOT-723 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTK3139PT1GOSDKR |
NTK3139P
TYPICAL CHARACTERISTICS
150
120
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
V DD = ? 10 V
I D = ? 200 mA
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
90
60
10
t f
t d(on)
t r
30
C oss
0
0
C rss
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
1
10
100
? DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
2.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
150 ° C
1.5
1.0
V GS = 0 V
125 ° C
25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.5
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTK3139PT1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTK3139PT5G | 功能描述:MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTK3142P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTK3142PT1G | 功能描述:MOSFET PFET 20V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTK3142PT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:HALOGEN FREE PFET SOT723 |
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