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参数资料
| 型号： | NTF2955T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 185 毫欧 @ 2.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 492pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTF2955T1GOSDKR |
NTF2955, NVF2955
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1200
1000
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
10
Q T
60
50
800
C rss
8
Q GS
Q GD
V GS
40
600
400
C iss
6
4
30
20
200
C oss
C rss
2
V DS
I D = ? 1.5 A
T J = 25 ° C
10
0
10
5
? V GS
0
? V DS
5
10
15
20
25
0
0
2
4 6 8 10 12
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
14
0
16
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = ? 25 V
I D = ? 1.5 A
V GS = ? 10 V
t d(off)
5
4
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
10
t d(on)
t r
2
1
1
1
10
100
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100
V GS = ? 20 V
SINGLE PULSE
250
I PK = ? 6.7 A
10
1
T C = 25 ° C
dc
10 ms
10 m s
100 m s
1 ms
200
150
100
0.1
0.01
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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