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参数资料
| 型号： | NTD5865NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM DPAK |
| 产品变化通告： | Reactivation Notice 08/Apr/2011 Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1261pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD5865NT4GOSDKR |
NTD5865N
80
70
V GS = 10 V
6V
T J = 25 ° C
80
70
V DS ≥ 10 V
60
50
60
50
40
5.5 V
40
30
30
T J = 25 ° C
20
5.0 V
20
10
4.5 V
10
T J = 125 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
1
2
3
4
5
0
2
3
4
5
6
7
0.040
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.018
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.035
I D = 38 A
T J = 25 ° C
0.016
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
0.030
0.025
0.014
0.020
0.012
0.015
0.010
4
5
6
7
8
9
10
0.010
5
10
15
20
25
30
35
40
2.2
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
10000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current
2.0
1.8
1.6
I D = 38 A
V GS = 10 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.2
1.0
0.8
1000
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150 175
100
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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PDF描述 |
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参数描述 |
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