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参数资料
| 型号： | NTD4904NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 13A SGL DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3052pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD4904NT4GOSDKR |
NTD4904N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
3600
3200
2800
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
12
11
10
9
Q T
2400
8
2000
1600
1200
800
400
0
0
5
10
C oss
C rss
15
20
25
30
7
6
5
4
3
2
1
0
0
Q GS
5
Q GD
10
15
20 25
V GS
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 30 A
T J = 25 ° C
30 35 40
45
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
30
25
20
V GS = 0 V
t r
15
10
t d(on)
10
T J = 125 ° C
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6 0.7
T J = 25 ° C
0.8 0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
70
60
I D = 37 A
100
10 m s
50
10
1
0.1
0.1
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
100 m s
1 ms
10 ms
dc
100
40
30
20
10
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A6SN-2104-P | SWITCH DIP 2POS EXT ACT SMD |
| TA 0000 | TOOL CRIMP LONG HANDLE |
| TA 0500 | TOOL CRIMP SHORT HANDLE |
| A6S-1104-H | SWITCH DIP 1POS RAISED SMD |
| NTTFS4824NTAG | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4905N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 67 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4905N-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 67A 4.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4905N-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 67A 4.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4905NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 67A 4.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4906N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
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