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参数资料
| 型号： | NTD4806N-35G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2142pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.33W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4806N, NVD4806N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
6V
5V
4.5 V
10 V
2
3
4
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
5
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
V DS ≥ 10 V
1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
2 3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
0.048
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.015
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.043
0.038
0.033
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.010
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.028
0.023
0.018
0.013
0.008
0.005
V GS = 11.5 V
0.003
3
4
5
6
7
8
9
10
0
50
55
60
65
70
75
80
85
90
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.0
1.5
1.0
I D = 30 A
V GS = 10 V
100,000
10,000
1000
V GS = 0 V
T J = 175 ° C
T J = 125 ° C
0.5
100
0
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Drain Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FD1300024 | OSC 13MHZ 1.8V SMD |
| FD1300023 | OSC 13MHZ 3.3V SMD |
| MS22BFW01 | SW SLIDE DPDT 6A SILVER SLD LUG |
| FD0670003 | OSC 6.7584MHZ 3.3V SMD |
| FCN1913G682J-E2 | CAP FILM 6800PF 400VDC 1913 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4806NA-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4806NA-35G | 功能描述:MOSFET NFET IPAK 30V 76A 6mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4806NAT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4806NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 76A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4808N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 63 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK |
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