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参数资料
| 型号： | NTD18N06LT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 9A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 675pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD18N06LT4GOSDKR |
NTD18N06L, NTDV18N06L
40
40
V GS = 10 V
5.5 V
5V
V DS ≥ 10 V
30
20
8V
6V
4.5 V
4V
30
20
10
3.5 V
3V
10
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
1
2
3
4
0
1.6
2.4
3.2
4
4.8
5.6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.12
0.1
V GS = 5 V
T J = 100 ° C
0.12
0.1
V GS = 10 V
0.08
0.08
0.06
0.04
0.02
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.06
0.04
0.02
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
10
20
30
40
0
0
10
20
30
40
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2
1.8
1.6
I D = 9 A
V GS = 5 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
100
1.2
1
0.8
10
T J = 100 ° C
0.6
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD18N06T4 | 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD18N06T4G | 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTD20N03L27 | 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD20N03L27/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 20 Amps， 30 Volts |
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