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参数资料
| 型号： | NTD14N03RT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 115pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.04W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD14N03RT4GOSDKR |
NTD14N03R, NVD14N03R
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
160
120
C iss
C rss
C iss
6
4
Q 1
Q T
Q 2
V GS
80
C oss
40
C rss
2
I D = 5 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS 0 V DS
5
10
15
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
V DS = 10 V
I D = 5 A
V GS = 10 V
t r
70
60
50
V GS = 0 V
40
10
t d(off)
30
t d(on)
t f
20
10
T J = 150 ° C
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
T J = 25 ° C
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
100
10
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
10 m s
100 m s
1
0.1
0 V < V GS < 20 V
Single Pulse
T A = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
1 ms
10 ms
dc
0.01
0.1
Package Limit
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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