| 型号： | NSB8MTHE3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 125K |
| 描述： | DIODE GPP 8A 1000V PLAST TO263AB |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 8A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 1000V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GCM10DCSD-S288 | CONN EDGECARD 20POS .156 EXTEND |
| NSB8KTHE3/45 | DIODE GPP 8A 800V PLAST TO263AB |
| R1D12-3.324/HP-R | CONV DC/DC 1W 3.3VIN +/-24VOUT |
| LM4040C50ILPRE3 | IC VREF SHUNT PREC 5V TO-92-3 |
| GCM10DCMN-S288 | CONN EDGECARD 20POS .156 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NSB9435T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 3A 30V Lov VCEsat RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| NSB9435T1/D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current Bias Resistor Transistor |
| NSB9435T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current Bias Resistor Transistor |
| NSB9435T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS SOT233 BR XSTR PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| NSB9435T1G_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current Bias Resistor Transistor |