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参数资料
| 型号： | NDF05N50ZG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V TO-220FP |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220, TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 632pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDF05N50ZG-ND NDF05N50ZGOS |
NDF05N50Z, NDD05N50Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
100
10
V GS ≤ 30 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 ms
10 m s
10
V GS v 30 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 ms
10 m s
dc
1
1
dc
0.1
0.01
0.1
1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10 100
1000
0.1
0.01
0.1
1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10
100
1000
10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area NDF05N50Z
50% (DUTY CYCLE)
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area NDD05N50Z
1
0.1
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
R q JA = 4.2 ° C/W
0.01
1E ? 06
SINGLE PULSE
1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
Steady State
1E+02
1E+03
PULSE TIME (s)
Figure 14. Thermal Impedance (Junction ? to ? Case) for NDF05N50Z
10
1 50% (DUTY CYCLE)
20%
10%
0.1
5.0%
2.0%
1.0%
SINGLE PULSE
R q JC = 1.5 ° C/W
Steady State
0.01
1E ? 06
1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
PULSE TIME (s)
Figure 15. Thermal Impedance (Junction ? to ? Case) for NDD05N50Z
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDD05N50Z-1G | MOSFET N-CH 500V 5A IPAK |
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| NTMFS4846NT1G | MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL |
| 76PGB06ST | SWITCH DIP PIANO SEALED 6POS AU |
| FQPF5N60C | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDF05N50ZH | 功能描述:MOSFET NFET 500V 5A 1.2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF0610 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDF06N60Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NDP06N60Z |
| NDF06N60ZG | 功能描述:MOSFET NFET TO220FP 600V 6A .98R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF06N60ZH | 功能描述:MOSFET NFET 600V 6A 980 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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