参数资料
| 型号： | NCP112D |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SUPERVISORY PS DESKTOP 14SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 55 |
| 类型： | 多压监控器 |
| 监视电压数目： | 4 |
| 输出： | 开路漏极或开路集电极 |
| 复位： | 高有效 |
| 复位超时： | 可调节/可选择 |
| 电压 - 阀值： | 3.3V，5V，12V，可调 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOICN |
| 包装： | 管件 |
NCP112
MAXIMUM RATINGS
Rating
Power Supply Voltage (Note 1)
Power Good Output Current
Fault Output Current
Voltage Reference Output Current
Voltage Rating (Pins 4, 5, 6, 9, 10, 11)
Voltage Rating (Pins 12, 13)
Power Dissipation and Thermal Characteristics (PDIP ? 14)
Thermal Resistance, Junction ? to ? Air
Thermal Resistance, Junction ? to ? Case
Maximum Power Dissipation @ 25 ° C
Power Dissipation and Thermal Characteristics (SOIC ? 14)
Thermal Resistance, Junction ? to ? Air
Thermal Resistance, Junction ? to ? Case
Maximum Power Dissipation @ 25 ° C
Operating Junction Temperature
Operating Ambient Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
VCC
IPGO
IFAULT
IREF
ADJ, PGI, CTUV, REMOTE,
CTREMOTE, CTPG
PGO, FAULT
R q JA
R q JC
P D
R q JA
R q JC
P D
TJ
TA
Tstg
Value
18
30
30
20
VCC
18
100
45
1.25
125
30
1.0
+150
? 40 to +125
? 55 to +150
Unit
V
mA
mA
mA
V
V
° C/W
° C/W
W
° C/W
° C/W
W
° C
° C
° C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V CC = 5.0 V, T A = 25 ° C for typical values and T A = 0 ° C to 85 ° C for min and max values, unless
otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OPERATING CONDITIONS
DC Power Supply
Power Supply Current
V CC
I CC
4.5
?
?
3.0
16
5.0
V
mA
OVERVOLTAGE/UNDERVOLTAGE PROTECTION
Overvoltage Protection
3.3 V Output Sense
Hysteresis*
5.0 V Output Sense
Hysteresis*
12 V Output Sense
Hysteresis*
VOV33
VOV hys33
VOV5
VOV hys5
VOV12
VOV hys12
3.8
?
5.8
?
13.4
?
4.0
40
6.1
60
14.2
130
4.2
?
6.4
?
15
?
V
mV
V
mV
V
mV
Undervoltage Protection
3.3 V Output Sense
Hysteresis*
5.0 V Output Sense
Hysteresis*
12 V Output Sense
Hysteresis*
VUV33
VUV hys33
VUV5
VUV hys5
VUV12
VUV hys12
2.3
?
3.7
?
9.2
?
2.5
100
4.0
100
10
100
2.7
?
4.3
?
10.8
?
V
mV
V
mV
V
mV
*Hysteresis is measured in direction from threshold point back to nominal value of input voltage (i.e. 3.3 V, 5.0 V or 12 V).
1. This device contains ESD protection and exceeds the following tests:
Human Body Model JESD 22 ? A114 ? B: 2.0 kV
Machine Model JESD 22 ? A115 ? A: 200 V
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP112DG | 功能描述:监控电路 Desktop Monitoring Supervisor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| NCP112DR2 | 功能描述:监控电路 Desktop Monitoring RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| NCP112DR2G | 功能描述:监控电路 Desktop Monitoring Supervisor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| NCP112P | 功能描述:监控电路 Desktop Monitoring RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| NCP112PG | 功能描述:监控电路 Desktop Monitoring Supervisor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
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